خودکار BGA IC ریبلنگ

خودکار BGA IC ریبلنگ

1. DH-A2 اعلی کامیاب شرح کے ساتھ BGA IC چپ کو دوبارہ گول کر سکتا ہے۔2۔ اصل میں چین میں ڈیزائن اور بنایا گیا ہے.3. فیکٹری کا مقام: شینزین، چین۔4۔ آرڈر دینے سے پہلے ہماری مشین کو جانچنے کے لیے ہماری فیکٹری میں خوش آمدید۔5۔ کام کرنے کے لئے آسان.

تصریح

خودکار آپٹیکل BGA IC ریبلنگ مشین 

bga soldering station

Automatic BGA Soldering Station with optical alignment

1. خودکار آپٹیکل BGA IC ریبلنگ مشین کی درخواست

ہر قسم کے مدر بورڈز یا PCBA کے ساتھ کام کریں۔

سولڈر، ریبال، مختلف قسم کے چپس کو ڈیسولڈر کرنا: BGA، PGA، POP، BQFP، QFN، SOT223، PLCC، TQFP، TDFN، TSOP،

پی بی جی اے، سی پی جی اے، ایل ای ڈی چپ۔

 

2. کی مصنوعات کی خصوصیاتخودکار آپٹیکلBGA IC ریبلنگ مشین

Automatic BGA Soldering Station with optical alignment

 

3. کی تفصیلاتخودکار آپٹیکل BGA IC ریبلنگ مشین

Laser position CCD Camera BGA Reballing Machine

4. کی تفصیلاتخودکار آپٹیکل BGA IC ریبلنگ مشین

ic desoldering machine

chip desoldering machine

pcb desoldering machine

 

5. ہمارا انتخاب کیوں کریں۔خودکار آپٹیکل BGA IC ریبلنگ مشین? 

motherboard desoldering machinemobile phone desoldering machine

 

6. کا سرٹیفکیٹخودکار آپٹیکل BGA IC ریبلنگ مشین

UL، E-MARK، CCC، FCC، CE ROHS سرٹیفکیٹ۔ دریں اثنا، معیار کے نظام کو بہتر بنانے اور کامل کرنے کے لیے،

ڈنگہوا نے ISO, GMP, FCCA, C-TPAT آن سائٹ آڈٹ سرٹیفیکیشن پاس کیا ہے۔

pace bga rework station

 

7. کی پیکنگ اور شپمنٹخودکار آپٹیکل BGA IC ریبلنگ مشین

Packing Lisk-brochure

 

 

8. کے لئے کھیپخودکار آپٹیکل BGA IC ریبلنگ مشین

DHL/TNT/FEDEX۔ اگر آپ دیگر شپنگ اصطلاح چاہتے ہیں، تو براہ مہربانی ہمیں بتائیں. ہم آپ کا ساتھ دیں گے۔

 

9. ادائیگی کی شرائط

بینک ٹرانسفر، ویسٹرن یونین، کریڈٹ کارڈ۔

اگر آپ کو کسی اور مدد کی ضرورت ہو تو براہ کرم ہمیں بتائیں۔

 

10. DH-A2 خودکار BGA IC ریبلنگ مشین کیسے کام کرتی ہے؟

 

 

 

11. متعلقہ علم

فلیش چپ کے بارے میں

فلیش چپ کے تعین کرنے والے

صفحات کی تعداد

جیسا کہ پہلے ذکر کیا گیا ہے، بڑی صلاحیت والے فلیش کا صفحہ جتنا بڑا ہوگا، صفحہ اتنا ہی بڑا ہوگا، ایڈریسنگ کا وقت اتنا ہی لمبا ہوگا۔

لیکن اس وقت کی توسیع لکیری تعلق نہیں بلکہ قدم بہ قدم ہے۔ مثال کے طور پر، ایک 128، 256 Mb چپ کے لیے 3 کی ضرورت ہوتی ہے۔

ایک ایڈریس سگنل منتقل کرنے کے لیے سائیکل، 512 Mb، 1 Gb کو 4 سائیکلوں کی ضرورت ہوتی ہے، اور 2، 4 Gb کو 5 سائیکل درکار ہوتے ہیں۔

صفحہ کی گنجائش

ہر صفحے کی گنجائش ڈیٹا کی مقدار کا تعین کرتی ہے جسے ایک وقت میں منتقل کیا جا سکتا ہے، لہذا ایک بڑی صلاحیت والے صفحہ میں

بہتر کارکردگی. جیسا کہ پہلے ذکر کیا گیا ہے، بڑی صلاحیت والا فلیش (4Gb) صفحہ کی گنجائش کو 512 بائٹس سے 2KB تک بڑھاتا ہے۔

صفحہ کی گنجائش میں اضافہ نہ صرف صلاحیت کو بڑھانا آسان بناتا ہے بلکہ ٹرانسمیشن کی کارکردگی کو بھی بہتر بناتا ہے۔

ہم ایک مثال دے سکتے ہیں۔ مثال کے طور پر Samsung K9K1G08U0M اور K9K4G08U0M لیں۔ سابقہ ​​1Gb ہے، 512-بائٹ صفحہ کی گنجائش،

بے ترتیب پڑھنے کا (مستحکم) وقت 12μs ہے، لکھنے کا وقت 200μs ہے۔ مؤخر الذکر 4Gb، 2KB صفحہ کی گنجائش، بے ترتیب پڑھنے (استحکام) وقت 25μs، لکھنا

وقت یہ 300μs ہے۔ فرض کریں کہ وہ 20MHz پر کام کرتے ہیں۔

کارکردگی پڑھیں: NAND فلیش میموری کے پڑھنے کے مراحل کو اس میں تقسیم کیا گیا ہے: بھیجیں کمانڈ اور ایڈریسنگ انفارمیشن → ٹرانسفر

صفحہ کے رجسٹر میں ڈیٹا (رینڈم ریڈم سٹیبل ٹائم) → ڈیٹا ٹرانسفر (8 بٹ فی سائیکل، 512+16 یا 2K+ 64 بار منتقل کرنے کی ضرورت ہے)۔

K9K1G08U0M ایک صفحہ کو پڑھنے کی ضرورت ہے: 5 کمانڈز، ایڈریسنگ سائیکل × 50ns + 12μs + (512 + 16) ​​× 50ns=38.7μs; K9K1G08U0M اصل

پڑھنے کی منتقلی کی شرح: 512 بائٹس ÷ 38.7μs=13.2MB / s؛ K9K4G08U0M ایک صفحہ کو پڑھنے کی ضرورت ہے: 6 کمانڈز، ایڈریسنگ پیریڈ × 50ns +

25μs + (2K + 64) × 50ns=131.1μs; K9K4G08U0M اصل پڑھنے کی منتقلی کی شرح: 2KB بائٹس ÷ 131.1μs=15.6MB / s۔ لہذا، ایک کا استعمال کرتے ہوئے

2KB صفحہ کی گنجائش 512 بائٹس تک پڑھنے کی کارکردگی میں بھی تقریباً 20 فیصد اضافہ ہوتا ہے۔

تحریری کارکردگی: NAND فلیش میموری کے تحریری مراحل کو اس میں تقسیم کیا گیا ہے: ایڈریسنگ کی معلومات بھیجنا → ڈیٹا کی منتقلی

صفحہ رجسٹر پر → کمانڈ کی معلومات بھیجنا → رجسٹر سے صفحہ پر ڈیٹا لکھا جاتا ہے۔ کمانڈ سائیکل بھی ایک ہے۔

ہم اسے نیچے ایڈریس سائیکل کے ساتھ ضم کریں گے، لیکن دونوں حصے مسلسل نہیں ہیں۔

K9K1G08U0M صفحہ لکھتا ہے: 5 کمانڈز، ایڈریسنگ پیریڈ × 50ns + (512 + 16) × 50ns + 200μs=226.7μs۔ K9K1G08U0M اصل

منتقلی کی شرح لکھیں: 512 بائٹس ÷ 226.7μs=2.2MB / s۔ K9K4G08U0M ایک صفحہ لکھتا ہے: 6 کمانڈز، ایڈریسنگ پیریڈ × 50ns + (2K + 64)

× 50ns + 300μs=405.9μs۔ K9K4G08U0M اصل تحریری منتقلی کی شرح: 2112 بائٹس / 405.9 μs=5MB / s۔ لہذا، 2KB صفحہ کی صلاحیت کا استعمال کرتے ہوئے

لکھنے کی کارکردگی کو 512-بائٹ صفحہ کی گنجائش سے دو گنا زیادہ بڑھاتا ہے۔

بلاک کی گنجائش

بلاک مٹانے کے آپریشن کی بنیادی اکائی ہے۔ چونکہ ہر بلاک کا مٹانے کا وقت تقریباً ایک جیسا ہوتا ہے (مٹانے کا عمل عام طور پر ہوتا ہے۔

2ms، اور کئی پچھلے چکروں کی کمانڈ اور ایڈریس کی معلومات کے زیر قبضہ وقت نہ ہونے کے برابر ہے)، بلاک کی صلاحیت

براہ راست تعین کیا جائے. کارکردگی کو مٹا دیں۔ بڑی صلاحیت والی NAND قسم کی فلیش میموری کے صفحہ کی گنجائش اور تعداد میں اضافہ کیا گیا ہے۔

فی بلاک کے صفحات کو بھی بہتر بنایا گیا ہے۔ عام طور پر، 4 جی بی چپ کی بلاک کی گنجائش 2 KB × 64 صفحات=128 KB ہے، اور 1 Gb چپ 512 بائٹس ہے۔

× 32 صفحات=16 KB۔ یہ دیکھا جا سکتا ہے کہ ایک ہی وقت کے اندر، سابق کی رگڑنے کی رفتار بعد والے کی رفتار سے 8 گنا زیادہ ہے!

I/O بٹ چوڑائی

ماضی میں، NAND قسم کی فلیش یادوں کی ڈیٹا لائنیں عام طور پر آٹھ تھیں، لیکن 256Mb کی مصنوعات سے، 16 ڈیٹا لائنیں تھیں۔ تاہم،

کنٹرولرز اور دیگر وجوہات کی وجہ سے، x16 چپس کا اصل اطلاق نسبتاً چھوٹا ہے، لیکن مستقبل میں اس کی تعداد میں اضافہ ہوتا رہے گا۔

. اگرچہ x16 چپ اب بھی ڈیٹا اور ایڈریس کی معلومات کو منتقل کرتے وقت 8- بٹ گروپس کا استعمال کرتی ہے، سائیکل میں کوئی تبدیلی نہیں ہوتی، لیکن ڈیٹا منتقل ہوتا ہے۔

{{0}} بٹ گروپس میں اور بینڈوتھ دوگنی ہو جاتی ہے۔ K9K4G16U0M ایک عام 64M×16 چپ ہے، جو اب بھی 2KB فی صفحہ ہے، لیکن ساخت (1K+32)×16bit ہے۔

مندرجہ بالا حسابات کی نقل کریں، ہم مندرجہ ذیل حاصل کرتے ہیں. K9K4G16U0M کو ایک صفحہ پڑھنے کی ضرورت ہے: 6 کمانڈز، ایڈریسنگ پیریڈ × 50ns + 25μs +

(1K + 32) × 50ns=78.1μs۔ K9K4G16U0M اصل پڑھنے کی منتقلی کی شرح: 2KB بائٹس ÷ 78.1μs=26.2MB / s۔ K9K4G16U0M ایک صفحہ لکھتا ہے: 6 کمانڈز،

ایڈریسنگ پیریڈ × 50ns + (1K + 32) × 50ns + 300μs=353.1μs۔ K9K4G16U0M اصل تحریری منتقلی کی شرح: 2KB بائٹس ÷ 353.1μs=5.8MB/s

یہ دیکھا جا سکتا ہے کہ چپ کی اسی صلاحیت کے ساتھ، ڈیٹا لائن کو 16 لائنوں تک بڑھانے کے بعد، پڑھنے کی کارکردگی تقریباً 70 فیصد بہتر ہو جاتی ہے،

اور تحریری کارکردگی میں بھی 16 فیصد بہتری آئی ہے۔

فریکوئنسی. ورکنگ فریکوئنسی کے اثرات کو سمجھنا آسان ہے۔ NAND فلیش میموری کی آپریٹنگ فریکوئنسی 20 سے 33 میگاہرٹز، اور اس سے زیادہ ہے۔

تعدد، بہتر کارکردگی. K9K4G08U0M کی صورت میں، ہم فرض کرتے ہیں کہ فریکوئنسی 20MHz ہے۔ اگر ہم فریکوئنسی کو 40MHz پر دوگنا کر دیں،

پھر K9K4G08U0M کو ایک صفحہ پڑھنے کی ضرورت ہے: 6 کمانڈز، ایڈریسنگ پیریڈ × 25ns + 25μs + (2K + 64) × 25ns=78μs . K9K4G08U0M اصل پڑھنے کی منتقلی کی شرح:

2KB بائٹس ÷78μs=26.3MB/s۔ یہ دیکھا جا سکتا ہے کہ اگر K9K4G08U0M کی آپریٹنگ فریکوئنسی کو 20MHz سے 40MHz تک بڑھا دیا جائے تو پڑھنے کی کارکردگی

تقریباً 70% تک بہتر کیا جائے گا! یقینا، اوپر کی مثال صرف سہولت کے لیے ہے۔ سام سنگ کی اصل پروڈکٹ لائن میں، K9XXG08U0M کے بجائے K9XXG08UXM،

اعلی تعدد پر کام کر سکتے ہیں. سابقہ ​​33MHz تک پہنچ سکتا ہے۔

 

 

 

 

 

 

 

 

(0/10)

clearall